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| 型号: | HYR1612820G-653 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | DIMM, DIMM184,40 |
| 针数： | 184 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最长访问时间： | 2.1 ns |
| 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 600 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 184 |
| 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 128MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM184,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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