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| 型号: | HZS30-2 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | HITACHI LTD |
| 零件包装代码： | DO-34 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE, LOW ZENER IMPEDANCE |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 100 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-34 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 29.9 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL |
| 最大电压容差： | 2.34% |
| 工作测试电流： | 2 mA |
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