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IDT70V24S55PFG产品参数
型号:IDT70V24S55PFG
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:QFP
包装说明:LFQFP, QFP100,.63SQ,20
针数:100
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.13
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQFP-G100
JESD-609代码:e3
长度:14 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端口数量:2
端子数量:100
字数:4096 words
字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFQFP
封装等效代码:QFP100,.63SQ,20
封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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