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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 八零友创集团

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  • 长荣电子

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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IDT7MMV4101S15B产品参数
型号:IDT7MMV4101S15B
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:BGA
包装说明:BGA,
针数:119
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84
最长访问时间:15 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0
长度:22 mm
内存密度:3145728 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:24
功能数量:1
端子数量:119
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX24
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.36 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.15 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:14 mm
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