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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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IPG20N04S4L07ATMA1产品参数
型号:IPG20N04S4L07ATMA1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.58
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):230 mJ
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.0072 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F8
JESD-609代码:e3
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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