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IPP50R190CEXKSA1产品参数和技术文档

IPP50R190CEXKSA1产品图

IPP50R190CEXKSA1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.14000
$2.14
10
1.93000
$19.30
100
1.55120
$155.12
500
1.20650
$603.25
1,000
0.99967
$999.67

IPP50R190CEXKSA1产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 500V 18.5A(Tc) 127W(Tc) PG-TO-220-3

制造商:Infineon Technologies

系列:CoolMOS™ CE

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):190 毫欧 @ 6.2A,13V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 510µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47.2nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1137pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):127W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:PG-TO-220-3

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:500

其它名称:IPP50R190CE IPP50R190CE-ND SP000850802

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