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IRFD110PBF产品参数和技术文档

IRFD110PBF产品图

IRFD110PBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
0.98000
$0.98
10
0.85400
$8.54
100
0.65890
$65.89
500
0.48806
$244.03
1,000
0.39045
$390.45

IRFD110PBF产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

详细描述:通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):540 毫欧 @ 600mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):180pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)

标准包装:100

其它名称:*IRFD110PBF

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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