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IRLU010产品参数
型号:IRLU010
生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.7 A
最大漏极电流 (ID):6.7 A
最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):27 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):90 ns
最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1
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