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  • IXSN40N60A图
  • 八零友创集团

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  • IXSN40N60A
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  • IXSN40N60AV1图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • IXSN40N60AV1
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  • IXSN40N60AUI图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • IXSN40N60AUI
  • 数量2000 
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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • IXSN40N60AU1
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IXSN40N60AU1产品参数
型号:IXSN40N60AU1
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
其他特性:HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC):45 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:8 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:205 W
最大功率耗散 (Abs):205 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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