欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
所在地: 型号: 精确
  • 批量询价
  •  
  • 供应商
  • 型号
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
更多
  • JAN1N5804US图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • JAN1N5804US
  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
  • QQ:1683311814
  • 0755-83360135 QQ:1683311814
配单直通车
JAN1N5804US产品参数
型号:JAN1N5804US
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.27
应用:ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.875 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:35 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最大输出电流:2.5 A
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/477F
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。