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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家Microsemi 
  • 封装DO35-2 
  • 批号25+23+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
  • 封装DO35-2 
  • 批号22+ 
  • 现货,原厂原装假一罚十!
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
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  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装DO-35 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥93.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 厂家Microsemi/美高森美 
  • 封装DO35-2 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 数量6500 
  • 厂家MSC 
  • 封装原厂原封装 
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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JAN1N645-1产品参数
型号:JAN1N645-1
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.23
Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:225 V
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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