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  • JANTXV1N5555图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • JANTXV1N5555
  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • JANTXV1N5555图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • JANTXV1N5555
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  • 厂家Microsemi 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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JANTXV1N5555产品参数
型号:JANTXV1N5555
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:PROTEK DEVICES
包装说明:O-MALF-W2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.53
最小击穿电压:33 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:47.5 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/434
最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
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