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  • JANTXV1N6120AUS图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • JANTXV1N6120AUS
  • 数量6500000 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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JANTXV1N6120AUS产品参数
型号:JANTXV1N6120AUS
生命周期:Active
包装说明:O-MELF-R2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.28
最小击穿电压:37.1 V
击穿电压标称值:39 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:56.4 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
Base Number Matches:1
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