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  • JANTXV1N645UR-1/TR图
  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • JANTXV1N645UR-1/TR
  • 数量8000 
  • 厂家MICROCHIP/微芯 
  • 封装 
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JANTXV1N646-1产品参数
型号:JANTXV1N646-1
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.59
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.6 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/240
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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