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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • JANTXV2N7224U图
  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 毅创腾(集团)有限公司

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产品型号JANTXV2N7224U的概述

芯片JANTXV2N7224U的概述 JANTXV2N7224U是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),其设计旨在满足各类军事及航空航天应用中的严苛条件。该芯片由美国诺顿半导体公司(Norton Semiconductor)生产,具有较高的工作温度范围、强抗辐射能力及长寿命等特性。由于其可靠性与可预测的性能,JANTXV2N7224U广泛应用于各种高端电子设备中,例如通信、计算机与武器系统。 芯片JANTXV2N7224U的详细参数 JANTXV2N7224U的主要参数如下: - 最大工作电压 (V_DS): 55V - 最大持续漏电流 (I_D): 9A - 栅源电压 (V_GS): ±20V - 漏源饱和电流 (I_DSS): 14mA - 门阈电压 (V_TH): 1V 到 3V - 输出电容 (C_OSS): 2000pF - 输入电容 (C_ISS): 800...
配单直通车
JANTXV2N7224U产品参数
型号:JANTXV2N7224U
生命周期:Active
IHS 制造商:DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
包装说明:CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.63
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):150 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):34 A
最大漏源导通电阻:0.081 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-CBCC-N3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):136 A
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/592
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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