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    • JMB322-QGEM0B图

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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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    • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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    • 深圳市双微电子科技有限公司

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    • JMB322图

    • 深圳市华科泰电子商行

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    • JMB322
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    • 绝对原装现货特价
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      QQ:1439873477QQ：1439873477 复制
    • 0755-82567800 QQ:405945546QQ:1439873477
    • JMB322-QGEMOA图

    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • JMB322-QGEMOA
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    • 绝对原装正品现货，全新深圳原装进口现货
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 数量6980 
    • 厂家MICRON 
    • 封装QFN48 
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    • 深圳市富科达科技有限公司

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    • JMB322
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    • 厂家JM/SLTW 
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    • 优势库存绝对原装现货特价热卖
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    • 上海磐岳电子有限公司

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    • JMB322-QGEM0B图

    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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    • 数量20000 
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    • 批号22+ 
    • 深圳现货库存，保证原装正品
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    • 15973558688 QQ:1940213521
    • JMB322-QGEM1A图

    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 数量30000 
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    • 封装QFN 
    • 批号23+ 
    • 代理全新原装现货，价格优势
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    • JMB322图

    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 封装QFN 
    • 批号0851+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • 厂家JMICRON 
    • 封装QFN48 
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    • 原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 封装QFN 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号JMC090-16的Datasheet PDF文件预览

    JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd  
    JMC090-16/18/20  
    Description:  
    1) Chip: double mesa SCRs of reverse blocking high-voltage  
    2) Chip area: 10.8mm×10.8mm (central gate thyristor)  
    3) Technology: mesa glass passivation technology, multilayer metallization  
    technology and non-void welding by vacuum welding technology  
    Typical Application:  
    Reactive power compensation, solid state relay, power module, etc.  
    Absolute Maximum Ratings (Packaged into modules, unless otherwise specified, TC=25℃)  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Symbol  
    Tj  
    Values  
    -40-125  
    Unit  
    ℃
    V
    Operating junction temperature range  
    Repetitive peak off-state voltage  
    Repetitive peak reverse voltage  
    Average on-state current  
    Tj=25℃  
    VDRM  
    VRRM  
    IT(AV)  
    ITSM  
    1200/1600/1800  
    1200/1600/1800  
    90  
    Tj=25℃  
    TC=80℃  
    tp=10ms  
    tp=10ms  
    V
    A
    Peak on-state surge current  
    I2t value for fusing  
    2000  
    A
    I2t  
    20000  
    A2s  
    VD=2/3VDRM tp=200μs  
    IG=0.3A Tj=125℃  
    dIG/dt=0.3A/μs  
    Critical rate of rise of on-state current  
    dI/dt  
    150  
    A/μs  
    Electrical Characteristics (Packaged into modules, unless otherwise specified, TC=25℃)  
    Parameter  
    Peak on-state voltage  
    Test Conditions  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    IT=280A tp=380μs  
    VTM  
    ≤1.8  
    V
    VD=VDRM  
    TC=25℃  
    TC=125℃  
    VR=VRRM  
    TC=25℃  
    TC=125℃  
    Repetitive peak off-state current  
    Repetitive peak reverse current  
    IDRM1  
    IDRM2  
    ≤100  
    ≤20  
    μA  
    mA  
    IRRM1  
    IRRM2  
    IGT  
    ≤100  
    ≤20  
    μA  
    mA  
    Triggering gate current  
    Latching current  
    VD=12V RL=30Ω  
    20-120  
    ≤300  
    ≤250  
    ≤2  
    mA  
    mA  
    mA  
    V
    IG=1.2 IGT  
    IL  
    Holding current  
    IT=1A  
    IH  
    VD=12V RL=30Ω  
    Triggering gate voltage  
    VGT  
    TEL：+86-513-83639777  
    - 1 / 3-  
    http://www.jjwdz.com  
    JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd  
    VD=VDRM Tj=125℃  
    Non triggering gate voltage  
    Critical rate of rise of voltage  
    VGD  
    ≥0.25  
    V
    VD=2/3VDRM Tj=125℃  
    dV/dt  
    ≥1000  
    V/μs  
    Gate Open  
    Mechanical Characteristics  
    Module size  
    12 mm×12 mm  
    1.6 mm  
    Module thickness  
    9 mm×9 mm  
    φ1.5mm  
    Welding area of cathode electrode  
    Welding area of control electrode  
    A
    K
    G
    symbol  
    Working Conditions  
    1) No severe mechanical shock as impact and drop off in the process of transportation, storage and  
    working of product.  
    2) Storage conditions  
    Temperature: 5~40℃  
    Relative humidity: ≤45%  
    Storage time: 3 days for the open package; 3 months for the closed package  
    3) Welding conditions  
    Recommended solder component: Sn63Sb37 (or lead-free solder of liquid quadrant less than 240℃)  
    Recommended soldering conditions: shown in Table 1  
    4) Welding in the gate spot is recommended to be completed one-time by using fixture. If it is necessary  
    to use a soldering iron, the temperature of soldering iron is controlled within 280℃ and time is controlled  
    within 20s.  
    TEL：+86-513-83639777  
    - 2 / 3-  
    http://www.jjwdz.com  
    JIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd  
    Table 1  
    Sn63Sb37 Soldering conditions  
    Average heating rate  
    3℃/s (Max)  
    Low limit of temperature  
    TS(Min)  
    100℃  
    Preheating activation Upper limit of temperature TS(Max) 150℃  
    Time (min ~ max)  
    tS  
    60 ~ 90s  
    Melting point temperature  
    Peak temperature  
    TL  
    183℃ (Sn63Sb37)  
    240℃ (+0/-5℃)  
    TP  
    tp  
    Reflow zone  
    Reflow time  
    10～30s  
    (Peak temperature ±5℃)  
    Melting time  
    TL  
    40～60s  
    3.5℃/s  
    Maximum cooling rate  
    Recommended process time  
    300 ~ 360s  
    Sn63Pb37  
    T
    p
    250℃  
    200℃  
    150℃  
    100℃  
    t
    P
    T
    L
    (10-30S)  
    t
    L
    Ts(max)  
    (40-60S)  
    Ts(min)  
    ts  
    60-90S  
    Ordering Information  
    J M C 090 -16  
    16:VDRM/VRRM≥1600V  
    JieJie Microelectronics Co.,Ltd  
    18:VDRM/VRRM≥1800V  
    20:VDRM/VRRM≥2000V  
    Module of series  
    C:Central gate  
    IT(AV)=90A  
    TEL：+86-513-83639777  
    - 3 / 3-  
    http://www.jjwdz.com  
    配单直通车
    JMB360(48LQFP)产品参数
    型号:JMB360(48LQFP)
    生命周期：Contact Manufacturer
    IHS 制造商：JMICRON TECHNOLOGY CORP
    包装说明：,
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.66
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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