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型号: | JS28F512P30EFA |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.8,20 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 |
最长访问时间: | 110 ns |
其他特性: | SYMMETRICAL BLOCKS |
命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 512 |
端子数量: | 56 |
字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 16 words |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8,1.8/3.3 V |
编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.000225 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.031 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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