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| 型号: | K4B1G0446E-HCF8 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.15 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 533 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B78 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 78 |
| 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 |
| 组织： | 256MX4 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA78,9X13,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 4,8 |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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