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| 型号: | K4T1G084QE-HCE6 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | TFBGA, BGA60,9X11,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 9.5 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 |
| 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X11,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 4,8 |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.155 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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