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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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K6F1008V2C-LF55产品参数
型号:K6F1008V2C-LF55
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.56,20
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e3
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000001 A
最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
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