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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 长荣电子

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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K9F5608R0D-JCB0产品参数
型号:K9F5608R0D-JCB0
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
JESD-609代码:e3
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
部门数/规模:2K
端子数量:63
字数:33554432 words
字数代码:32000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
部门规模:16K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:MATTE TIN
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO
类型:NAND TYPE
Base Number Matches:1
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