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| 型号: | LCMXO256E-3M100I |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | CSBGA-100 |
| 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.48 |
| 最大时钟频率： | 420 MHz |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B100 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 专用输入次数： | 7 |
| I/O 线路数量： | 78 |
| 输入次数： | 78 |
| 逻辑单元数量： | 256 |
| 输出次数： | 78 |
| 端子数量： | 100 |
| 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 7 DEDICATED INPUTS, 78 I/O |
| 输出函数： | MACROCELL |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA100,14X14,20 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 1.2 V |
| 可编程逻辑类型： | FLASH PLD |
| 传播延迟： | 4.9 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.35 mm |
| 子类别： | Field Programmable Gate Arrays |
| 最大供电电压： | 1.26 V |
| 最小供电电压： | 1.14 V |
| 标称供电电压： | 1.2 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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