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  • LPC662AIN/NOPB图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • LPC662AIN/NOPB
  • 数量65000 
  • 厂家NSC优势系列 
  • 封装DIP-8 
  • 批号22+ 
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配单直通车
LPC662AMD产品参数
型号:LPC662AMD
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
零件包装代码:DIP
包装说明:CERAMIC, DIP-8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.67
Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.0001 µA
标称共模抑制比:83 dB
最大输入失调电压:3500 µV
JESD-30 代码:R-CDIP-T8
长度:13.716 mm
标称负供电电压 (Vsup):-7.5 V
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
座面最大高度:5.207 mm
标称压摆率:0.11 V/us
子类别:Operational Amplifier
供电电压上限:8 V
标称供电电压 (Vsup):7.5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
标称均一增益带宽:350 kHz
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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