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型号: | M36LLR8760D1ZAQ |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-88 |
针数: | 88 |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.04 |
其他特性: | PSEUDO SRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B88 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 10 mm |
内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 16 |
混合内存类型: | FLASH+PSRAM |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 88 |
字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 16MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA88,8X12,32 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.00011 A |
子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.052 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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