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M58LR256KB70ZQ5E产品参数
型号:M58LR256KB70ZQ5E
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA-88
针数:88
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.66
最长访问时间:70 ns
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B88
JESD-609代码:e1
长度:10 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:8, 255
端子数量:88
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C
组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA88,8X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:4 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,64K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.067 mA
最大供电电压 (Vsup):2 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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