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| 型号: | M93S56MN3T/W |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 |
| 数据保留时间-最小值： | 40 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2048 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 128 words |
| 字数代码： | 128 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128X16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大待机电流： | 0.000015 A |
| 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.002 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
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