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产品型号M93S66-WBN6的概述

芯片M93S66-WBN6的概述 M93S66-WBN6是一种高性能的串行EEPROM(电可擦可编程只读存储器),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该芯片采用了串行接口,能够通过I²C总线与微控制器或其他数字电路进行通信,具有较高的数据存储可靠性和抗干扰能力。M93S66-...
配单直通车
M93S66-WBN6产品参数
型号:M93S66-WBN6
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP
包装说明:0.25 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.73
Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):2 MHz
数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0
长度:9.27 mm
内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:8
字数:256 words
字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:256X16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.33 mm
串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.000005 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.002 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1
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