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bychip可替代_FDS8926A-NL

日期:2023-7-18类别:会员资讯 阅读:955 (来源:互联网)
公司:
深圳市百域芯科技有限公司
联系人:
郑佳妮
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13043481413
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深圳市福田区华强北街道世纪汇都会轩4507

bychip可替代_FDS8926A-NL导读

市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。


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bychip可替代

MOS管的导通条件 MOS管的开关条件: N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通; P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。 MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)|。

注:MOS管输出特性的恒流区(饱和区),相当于三极管的放大区。VGS≥VGS(th),且VDS>VGS-VGS(th),MOS管进入恒流区:恒流区在输出特性曲线中间的位置,电流ID基本不随VDS变化,ID的大小主要决定于电压VGS,所以叫做恒流区,也叫饱和区,当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区(饱和区)。

在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。 掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高。P型半导体又称空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。

我们先来看一下MOS管的输出特性曲线,MOS管的输出特性可以分为三个区:夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下,D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。


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IRF540NSTRPBF

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常用的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。MOS管是一种场效应管,其主要作用是在电路中实现信号放大、开关控制等功能。

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P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。

有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。


文章来源:    www.bychip.cn



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