CC20N06P33 cloudchild 云潼60V MOS管 功率晶体管

产品介绍：CC20N06P33 Cloudchild 云潼60V MOS管 功率晶体管

在当前的电子产品市场中，MOS管作为一种重要的功率半导体器件，广泛应用于各类电源管理和控制电路中。而CC20N06P33 Cloudchild 云潼60V MOS管则是一款性能优异的功率晶体管，它以其卓越的电气特性和稳定的工作性能，满足了众多高性能电子设备的需求。在深圳市奥伟斯科技有限公司，我们致力于为客户提供高质量的电子产品，CC20N06P33也是我们产品线中的佼佼者。

产品功能

CC20N06P33 Cloudchild 云潼60V MOS管是一款N沟道增强型MOSFET，其主要功能包括：

1. 高效开关控制：该功率晶体管能够在高频工作条件下实现快速开关，极大地提高了电路的工作效率，确保系统在运行中的能量损耗降至最低。

2. 强大的电流承载能力：CC20N06P33具有出色的电流承载能力，支持持续大电流的输出，使其适用于各种高负载电器，如电机驱动器、逆变器和电源管理系统等。

3. 广泛的工作电压范围：产品的最大漏极至源极电压为60V，使其能够适应各种不同的电压环境，等效于更高的应用灵活性。

4. 热管理性能优越：CC20N06P33设计时考虑到了热量的快速散发，确保产品在高温条件下不会因过热而发生故障，增强了系统的安全性和可靠性。

5. 优秀的开关速度：为了满足高频电路的需求，CC20N06P33的开关速度快，转变时间短，为各种应用提供了更大自由度。

性能参数

在了解CC20N06P33的功能之后，深入了解其性能参数可以帮助您更全面地评估其适用性。以下是该产品的一些关键技术参数：

- 最大漏极至源极电压 (VDS): 60V - 最大连续漏极电流 (ID): 20A（在标准条件下） - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 35A - 栅极至源极电压 (VGS): ±20V - 单脉冲耗散功率 (PD): 80W（在室温下） - 输入电容 (Ciss): 1500pF - 输出电容 (Coss): 200pF - 反向恢复时间 (trr): 100ns - 工作温度范围: -55℃至+150℃

通过以上参数可以看到，CC20N06P33在承受高压和大电流方面表现出色，并且具有良好的热稳定性，确保其在各种工作环境下皆能保持性能表现。

购买指南

MOB : 15323890608 江小姐（微信同号）

深圳市奥伟斯科技有限公司

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