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MJD3055T4产品参数
型号:MJD3055T4
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-252AA
包装说明:TO-252, DPAK-3
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:0.75
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:20 W
最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHz
VCEsat-Max:8 V
Base Number Matches:1
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