MMBFJ176 芯片概述
MMBFJ176 是一种高性能的 N 沟道 JFET(结型场效应晶体管),广泛应用于模拟信号处理、音频放大器、RF(射频)放大、开关电路以及其他电子元件中。与 MOSFET 相比,JFET 在增益和噪声特性方面表现出色,使其成为高灵敏度应用的理想选择。该器件具有低输入电容、低噪声特性以及相对较高的漏电流能力,适合用于高频信号的处理。
MMBFJ176 的详细参数
MMBFJ176 的关键电气参数包括:
- 类型:N 沟道 JFET - 最大漏极-源极电压 \(V_{DS}\):20V - 最大漏极电流 \(I_{D}\):30mA - 门极-源极反偏电压 \(V_{GS}\):-3V - 小信号跨导 \(g_{m}\):6.5 mS(典型值) - 输入阻抗 \(Z_{in}\):2 MΩ(典型值) - 噪声系数:0.8 dB(典型值,频率为1kHz) - 频率响应:高达500 MHz
在温度范围方面,MMBFJ176 可以在 -55°C 到 +150°C 的环境中工作,这使其适合极端气候条件下的应用。
MMBFJ176 的厂家、包装、封装
MMBFJ176 由多家知名半导体制造商生产,包括但不限于 ON Semiconductor、Vishay、Fairchild Semiconductors 等。这些厂家通常提供各种封装形式,以适应不同的应用需求。最常见的封装形式是 SOT-23 和 TO-92,这使得 MMBFJ176 可以方便地集成到各种电路设计中。在分销方面,MMBFJ176 有多种包装选项,包括卷带(托盘)和散装包装,便于批量采购和生产。
引脚安排与电路图说明
MMBFJ176 的标准引脚配置对于电路设计至关重要。以 SOT-23 封装为例,其引脚位置通常是:
1. 引脚 1(源极,Source, S):信号输入端,连接到源极。 2. 引脚 2(漏极,Drain, D):信号输出端,连接到漏极。 3. 引脚 3(门极,Gate, G):控制电压输入,通常连接到设定工作点的电压源。
在电路图中,MMBFJ176 通常呈现为一个三端器件,其与其他元件的配合使用主要体现在信号的放大、开关或滤波功能。为了达到最佳性能,设计者应确保合适的偏置电压和负载电阻,以避免过载和可能出现的信号失真。
以下是一个典型的使用 MMBFJ176 的放大电路示意图:
plaintext +Vdd | R1 | +-----+--- Vout | | +---| G | | | | R2 | | | +------+ | | R3 | | | +------+---- Vin | GND
在该电路中,输入信号 \(V_{in}\) 通过电阻 \(R_3\) 施加到门极,通过 \(R_1\) 和 \(R_2\) 设置偏置电压,从而控制输出信号 \(V_{out}\)。这种简单而有效的配置使得 MMBFJ176 能够实现信号的增益。
MMBFJ176 的使用案例
MMBFJ176 在许多应用中展现出了其独特的性能优势。以下是一些具体的使用案例:
1. 音频放大器:由于其低噪声特性,MMBFJ176 经常被用于音频信号放大器中。设计师可运用其高输入阻抗来连接低电平音频信号,实现清晰音频的放大与传递。
2. RF 前端放大器:在无线通信设备中,MMBFJ176 是高级 RF 前端中的关键组件。其能够处理高频信号而不会产生显著的失真,确保信号的完整性。
3. 数据采集系统:在数据采集和转换系统中,MMBFJ176 可作为模拟信号的前端放大器,提升微弱信号的幅度,确保 ADC(模数转换器)能有效捕获数据。
4. 传感器接口电路:在许多传感器技术(如温度、压力传感器)中,MMBFJ176 被用来将传感器输出的微弱信号放大到可用电平,支持后续的处理和分析。
在实际应用中,设计师需要根据具体需求配置合适的偏置和负载电阻,以确保 MMBFJ176 工作在最佳状态。此外,考虑到其热特性,在高功率应用中,适当的散热措施也是必要的,以避免器件过热导致性能下降。
通过以上几个方面的介绍,MMBFJ176 芯片展示了其在现代电子设计中的多样应用与优越性能。
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型号: | MMBFJ176 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE |
FET 技术: | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss): | 5.5 pF |
JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Small Signal |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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