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| 型号: | MMBV809LT1 |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 生命周期： | End Of Life |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 针数： | 3 |
| 制造商包装代码： | 318-08 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 15.09% |
| 最小二极管电容比： | 1.8 |
| 标称二极管电容： | 5.3 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 75 |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
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