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  • MPC201210T-2R2M-N图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家奇力新 
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  • QQ:1002316308QQ:515102657
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  • MPC201210T-2R2M-N图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MPC201210T-2R2M-N
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  • 厂家CHILISIN-奇力新 
  • 封装车规-被动器件 
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  • MPC201212T-2R2T-NA2图
  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • MPC201212T-2R2T-NA2
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  • 厂家CHILISIN/奇力新 
  • 封装SMD0805 
  • 批号23+ 
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配单直通车
MPC2104PDG66产品参数
型号:MPC2104PDG66
生命周期:Obsolete
包装说明:DIMM, DIMM178(UNSPEC)
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84
最长访问时间:8 ns
其他特性:OUTPUT BUFFER SUPPLY VOLTAGE 5V+/-5%
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N178
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度:64
功能数量:1
端子数量:178
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32KX64
输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM178(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL
电源:3.3,5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.24 A
最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.7 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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