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  • MT48H4M16LFF3-75 ES图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • MT48H4M16LFF3-75 ES
  • 数量3687 
  • 厂家MICRON 
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  • MT48H4M16LFF3-75图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • MT48H4M16LFF3-75
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MT48H4M16LFF4-10产品参数
型号:MT48H4M16LFF4-10
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA54,9X9,32
针数:54
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.42
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B54
JESD-609代码:e0
长度:8 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:4MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):235
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.00001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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