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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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MT8JSF25664HIY-1G0B1产品参数
型号:MT8JSF25664HIY-1G0B1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明:DIMM, DIMM204,24
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75
最大时钟频率 (fCLK):533 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N204
内存密度:17179869184 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64
端子数量:204
字数:268435456 words
字数代码:256000000
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:256MX64
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM204,24
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
最大待机电流:0.08 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:3.44 mA
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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