硅基小型高功率开关电源模块 MWI35-12A7 的概述
在现代电子产品中,电源模块的设计和选择变得至关重要。MWI35-12A7 是一种高效的硅基小型高功率开关电源模块,它广泛应用于各种电力需求的设备中,包括工业自动化、通信设备和铁路运输等。该模块以其优势的性能指标、良好的稳定性以及适应不同环境的能力而备受关注。
在电力转化过程中,MWI35-12A7 能够以高效率将输入直流电压转化为所需的输出电压,满足不同行业的需求。其模块化设计使得集成和维护变得更加简单,有助于缩短产品的开发周期。此外,MWI35-12A7的高频率开关特性大大减少了体积和重量,有效提升了系统的功率密度。
芯片 MWI35-12A7 的详细参数
MWI35-12A7 的主要技术参数如下:
- 输入电压范围: 9V 至 18V DC - 输出电压: 12V DC - 最大输出电流: 2.9A - 最大输出功率: 35W - 效率: 最高可达 92% - 工作温度范围: -40°C 至 +85°C - 封装类型: 68-Pin Surface Mount Package - 尺寸: 45mm x 36mm x 10mm - 保护特性: 短路保护、过载保护、过温保护 - 启用/禁用控制引脚: 具有启用/禁用功能,使得模块可以在不需要时保持静止,以节省能耗。
此模块提供了非常稳定的输出电压和电流,可以满足对电源要求严格的场合。同时,其高效率和小体积使得该模块在各类电子设备中极具吸引力。
芯片 MWI35-12A7 的厂家、包装、封装
MWI35-12A7 是由全球知名的电源模块制造商生产的,致力于高效电源解决方案的开发与生产。该公司自成立以来,一直在电源领域内不断创新,产品涵盖了从小型开关电源到大型电力系统的全面解决方案。
在封装方面,MWI35-12A7 采用了 68 引脚表面贴装封装,这使得该模块在电路板上占用的空间更小,利于高密度布线。模块的包装则提供了多种选择,包括散装和带防静电袋的包装形式,以满足不同客户的需求。
芯片 MWI35-12A7 的引脚和电路图说明
MWI35-12A7 的引脚设计为用户提供便利的操作。该模块的典型引脚配置如下:
1. Vin:输入电压引脚,连接至直流电源。 2. GND:接地引脚,提供电流的返回路径。 3. Vout:输出电压引脚,连接至负载。 4. On/Off:启用/禁用控制引脚,可以通过施加高或低电平信号来启用或禁用模块的输出。 5. Trim:电压调整引脚,用于微调输出电压,以适应不同负载的需求。 6. Thermal:温度监测引脚,提供过温保护功能。
通过这些引脚,MWI35-12A7 可以很容易地与其他电路模块进行集成。通常,可以通过电路图清晰地看出与其他组件的连接关系,简化了电路的设计。
首先,输入电源通过 Vin 引脚连接模块,接地则连接至 GND 引脚。输出电压则通过 Vout 引脚连接至负载。根据需要,用户可以在 Trim 引脚上挂接一个电阻,调节输出电压。同时,On/Off 引脚控制模块的启用与否,可以通过简单的开关电路实现。
芯片 MWI35-12A7 的使用案例
MWI35-12A7 在许多实际应用中展现出其优越性。如在工业自动化中,电源模块常常作为各种传感器和控制器的电源。比如,某工厂在PLC(可编程逻辑控制器)系统中使用了 MWI35-12A7,以提供稳定的电源供应,从而保证系统的正常运行。其高效、低发热的特性使得 PLC 系统在长期运行时仍然保持良好的性能。
在通信设备中,MWI35-12A7 也得到广泛应用。随着数据通信技术的进步,设备功率需求日益增长,而开关电源模块以其高功率密度、高效率和良好的热设计能力,完美地解决了这一难题。例如,在某数据中心,MWI35-12A7 被用于网络交换机的电源模块中,确保其在高速数据传输过程中保持稳定的电压和电流输出。
此外,MWI35-12A7 也被应用于电动车辆的电源管理系统中。由于电动车对能效的严格要求,该模块优越的功率转化效率能够有效地延长电池的使用寿命,从而提升电动车的总体性能。
通过以上几个实例,可以看出 MWI35-12A7 在满足复杂电子系统电源需求方面的重要性。随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展,该模块还会在更多的领域发挥出更大的价值。
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型号: | MWI35-12A7 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.65 |
其他特性: | UL RECOGNIZED |
外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 62 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X11 |
JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 6 |
端子数量: | 11 |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 280 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 570 ns |
标称接通时间 (ton): | 180 ns |
VCEsat-Max: | 2.8 V |
Base Number Matches: | 1 |
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