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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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产品型号NAND512R3A2SN6的产品参数和NAND512R3A2SN6的使用说明

配单直通车
NAND512R3A2SN6E产品参数
型号:NAND512R3A2SN6E
生命周期:Active
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明:TSOP-48
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.53
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm
内存密度:512753664 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:48
字数:64094208 words
字数代码:64000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
编程电压:1.8 V
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
类型:SLC NAND TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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