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型号: | NAND512R3A2SN6E |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | MICRON TECHNOLOGY INC |
包装说明: | TSOP-48 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.53 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 512753664 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 |
字数: | 64094208 words |
字数代码: | 64000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL |
编程电压: | 1.8 V |
座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL |
类型: | SLC NAND TYPE |
宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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