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| 型号: | NCV20062DR2G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | SOP, |
| 制造商包装代码： | 751-07 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 7 weeks |
| 风险等级： | 1.52 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0015 µA |
| 标称共模抑制比： | 76 dB |
| 最大输入失调电压： | 4000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 筛选级别： | AEC-Q100 |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 标称压摆率： | 1.2 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier |
| 供电电压上限： | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 标称均一增益带宽： | 3000 kHz |
| 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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