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NCV33152DR2产品参数
型号:NCV33152DR2
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:4.9 mm
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.75 mm
最大供电电压:18 V
最小供电电压:6.5 V
标称供电电压:12 V
表面贴装:YES
技术:BIPOLAR
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
断开时间:0.12 µs
接通时间:0.12 µs
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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