NDS356AP产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.4nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：280pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SuperSOT-3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：NDS356APTR