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晶体管特性参数采用的测量方法

日期:2024-5-14 (来源:互联网)

晶体管是一种半导体器件,用于放大和开关信号。它的特性参数通常不是通过电桥法来测量的,而是利用特定的电路配置来进行直接测量。CY62167DV30LL-70BVI晶体管的特性参数包括但不限于:电流放大系数(β或h_FE)、击穿电压(V_CE0)、饱和电压(V_CE(sat))、耗散功率(P_D)、输入阻抗和输出阻抗等。

常用的晶体管特性参数测量方法

1.静态特性测量:

◆ 输出特性(I_C-V_CE):通过改变集电极电压(V_CE)和基极电流(I_B),测量集电极电流(I_C)的变化。这通常在恒定基极电流下完成,以得到I_C对V_CE的响应曲线。

◆ 输入特性(I_B-V_BE):通过改变基极-发射极电压(V_BE),测量基极电流(I_B)的变化。这描述了基极电流对基极-发射极电压的依赖性。

2.动态特性测量:

◆ 电流放大系数(β):通过测量基极电流(I_B)和集电极电流(I_C)的比值来确定。通常在特定的工作点下进行测量。

◆ 切换特性:测量晶体管从开到关或从关到开状态的时间参数,如延迟时间、上升时间、储存时间和下降时间。

3.小信号特性测量:

◆ h参数:这包括h_FE(正向电流放大系数)、h_ie(输入阻抗)、h_re(反向电压放大系数)和h_oe(输出导纳)。h参数通常在小信号交流条件下测量。

测量设备和工具

◆ 多用电表:用于测量直流电压、电流以及电阻,是最基本的测试工具。

◆ 示波器:用于观察晶体管的动态响应和小信号特性。

◆ 信号发生器:为动态测试提供输入信号。

◆ 晶体管测试仪:一些专用的测试仪器可以直接测量晶体管的h参数和放大系数。

◆ 半导体参数分析仪:用于精确测量半导体器件的电性能参数。

测量步骤示例(β测量)

1. 准备一个晶体管测试电路,该电路应该能够对晶体管的基极和集电极施加电压和电流。

2. 设定一个恒定的基极电流(I_B)。

3. 测量对应的集电极电流(I_C)。

4. 计算β值(β = I_C / I_B)。

注意事项

◆ 测量时应遵守安全操作规程,避免静电或过电流损害晶体管。

◆ 应确保电路连接正确,并使用适当的限流电阻以防止晶体管过热。

◆ 测量参数时,需要注意晶体管的工作区间,确保其在正常的放大区工作,避免进入饱和区或截止区。

晶体管特性参数的测量是半导体器件设计和分析的重要组成部分,准确的测量对于器件的选型、电路设计和故障分析至关重要。而电桥法常用于精确测量电阻、电感和电容等组件的参数,而不用于晶体管特性的直接测量。

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