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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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NP100P04PDG-E1-AY产品参数
型号:NP100P04PDG-E1-AY
Brand Name:Renesas
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:MP-25ZP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
制造商包装代码:PRSS0004AL-A3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.32
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):550 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):100 A
最大漏源导通电阻:0.0051 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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