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NSPM5131MUTBG产品参数
型号:NSPM5131MUTBG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-N6
制造商包装代码:517CS
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.58
最大击穿电压:17.5 V
最小击穿电压:13.6 V
击穿电压标称值:15.5 V
最大钳位电压:21.5 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压:13.5 V
最大反向电流:1 µA
反向测试电压:13.5 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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