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  • 专营南亚DDR内存闪存原厂直销原装进口现货
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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  • 原装正品现货,可出样品!!!
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  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 八零友创集团

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配单直通车
NT5CB128M16IP-EK产品参数
型号:NT5CB128M16IP-EK
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:VFBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.61
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.195 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):933 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B96
长度:13 mm
内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:96
字数:134217728 words
字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:128MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA96,9X16,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.015 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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