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  • NTMED2P01R2G图
  • 深圳市领航达电子有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • NTMED2P01R2G
  • 数量1950 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOP-8▇▇ 
  • 批号▇▇▇Rohs▇▇▇ 
  • 原装▇军工偏冷门▇质量好价格优▇让少走弯路▇》》》》
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NTMFD4901NFT1G产品参数
型号:NTMFD4901NFT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:DFN
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数:8
制造商包装代码:506BX
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:7 weeks
风险等级:1.48
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):28.8 mJ
外壳连接:DRAIN SOURCE
配置:SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):23.4 A
最大漏极电流 (ID):13.5 A
最大漏源导通电阻:0.01 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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