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NTR2101PT1产品参数
型号:NTR2101PT1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOT-23
包装说明:CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:CASE 318-08
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.36
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.7 A
最大漏极电流 (ID):3.7 A
最大漏源导通电阻:0.052 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.96 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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