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NVMFS4841NT1G产品参数
型号:NVMFS4841NT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:DFN
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 488AA-01, SO-8FL, DFN5, 6 PIN
针数:5
制造商包装代码:488AA
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.16
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):180 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):89 A
最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.0114 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):112 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):336 A
认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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