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| 型号: | NVMTS2D0N08H |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 207 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 207 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.002 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 25 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 205 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 900 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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