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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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PH5525L产品参数
型号:PH5525L
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
包装说明:PLASTIC, LFPAK-4
针数:235
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.16
雪崩能效等级(Eas):100 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):81.7 A
最大漏极电流 (ID):81.7 A
最大漏源导通电阻:0.0082 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-235
JESD-30 代码:R-PSSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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