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    • QM100DQ-H图

    • HECC GROUP CO.，LIMITED

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    • QM100DQ-H
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    • 厂家MITSUBISHI 
    • 封装*原装模块 
    • 批号24+ 
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    • QM100DQ-H图

    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • QM100DQ-H
    • 数量120 
    • 厂家MITSUBISHI 
    • 封装MOUDLE 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
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    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
    • QM100DQ-H图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • QM100DQ-H
    • 数量18800 
    • 厂家三菱 
    • 封装TO-59.高频管 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • QM100DQ-H图

    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • 数量10000 
    • 厂家MITSUBISHI 
    • 封装 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品，假一罚十
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    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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    • 深圳市勤思达科技有限公司

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    • 数量100 
    • 厂家三菱 
    • 封装 
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    • 原装现货，价格优惠
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    • 0755-83268779 QQ:2881910282QQ:2881239443
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    • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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    • QM100DQ-H
    • 数量6582 
    • 厂家MITSUBISHI【模块专卖★价格最低】 
    • 封装【原厂原包装】 
    • 批号▊ NEW ▊ 
    • ◆★█【IGBT模块专卖】★价格最低★！量大可定！欢迎惠顾！(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
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    • 深圳市浩兴林电子有限公司

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    • QM100DQ-H
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    • 厂家三菱 
    • 封装模块 
    • 批号2017+ 
    • 专营模块，全新原装现货，价优，欢迎查询
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    • QM100DQ-H图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • QM100DQ-H
    • 数量85000 
    • 厂家MITSUBIS 
    • 封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • QM100DQ-H
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    • 厂家MITSUBISHI 
    • 封装 
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • QM100DQ-H
    • 数量15000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
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    产品型号QM100DQ-H的概述

    芯片QM100DQ-H的概述 QM100DQ-H是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于各种电力电子装置中。该芯片采用非对称吴伟体工艺，具有低导通电阻及高开关速度的特点，使其在驱动、逆变及变频等应用中表现出色。QM100DQ-H的设计旨在满足工业需要，并提供可靠的解决方案以应对严苛的工作条件。 芯片QM100DQ-H的详细参数 QM100DQ-H的主要参数包括： 1. 额定电流（Ic）: 100A 2. 额定反向持续电压（Vce）: 1200V 3. 最大驱动电压（Vge）: ±20V 4. 导通电阻（Rce）: ≥0.18Ω（典型值） 5. 最大结温（Tj）: 150°C 6. 门极放电电阻: 2.2kΩ 7. 工作频率: 最高可达20kHz 以上参数表明，QM100DQ-H适合用于需要快速开关和高负载能力的应用场景。 芯片QM100DQ-H的厂家、包装和封装 ...

    产品型号QM100DY-24的Datasheet PDF文件预览

    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM100DY-24K  
    HIGH POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    QM100DY-24K  
    • IC  
    Collector current ........................ 100A  
    • VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V  
    • hFE DC current gain...............................75  
    • Insulated Type  
    • UL Recognized  
    Yellow Card No. E80276 (N)  
    File No. E80271  
    APPLICATION  
    Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders  
    OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
    Dimensions in mm  
    108  
    4–φ6.5  
    93 0.25  
    B2X  
    B2  
    E2  
    C2E1  
    E2  
    C1  
    C2E1  
    E2  
    C1  
    17  
    B1X  
    E1  
    B1  
    8
    14  
    17  
    25  
    8
    8
    15.3  
    25  
    8
    21.5  
    3
    1.8  
    3
    17  
    Tab#110, t=0.5  
    3–M6  
    LABEL  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM100DY-24K  
    HIGH POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tj=25°C, unless otherwise noted)  
    Symbol  
    VCEX (SUS)  
    VCEX  
    VCBO  
    VEBO  
    IC  
    Parameter  
    Collector-emitter voltage  
    Collector-emitter voltage  
    Collector-base voltage  
    Emitter-base voltage  
    Collector current  
    Conditions  
    Ratings  
    1200  
    1200  
    1200  
    7
    Unit  
    V
    IC=1A, VEB=2V  
    VEB=2V  
    V
    Emitter open  
    Collector open  
    DC  
    V
    V
    100  
    100  
    800  
    5
    A
    –IC  
    Collector reverse current  
    Collector dissipation  
    Base current  
    DC (forward diode current)  
    TC=25°C  
    A
    PC  
    W
    A
    IB  
    DC  
    Surge collector reverse current  
    (forward diode current)  
    –ICSM  
    Peak value of one cycle of 60Hz (half wave)  
    1000  
    A
    Tj  
    Junction temperature  
    Storage temperature  
    Isolation voltage  
    –40~+150  
    –40~+125  
    2500  
    °C  
    °C  
    Tstg  
    Viso  
    Charged part to case, AC for 1 minute  
    Main terminal screw M6  
    V
    1.96~2.94  
    20~30  
    N·m  
    kg·cm  
    N·m  
    kg·cm  
    g
    —
    —
    Mounting torque  
    Weight  
    1.96~2.94  
    20~30  
    Mounting screw M6  
    Typical value  
    470  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25°C, unless otherwise noted)  
    Limits  
    Typ.  
    —
    Symbol  
    ICEX  
    Parameter  
    Test conditions  
    Unit  
    Min.  
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    75  
    —
    —
    —
    —
    —
    Max.  
    2.0  
    Collector cutoff current  
    VCE=1200V, VEB=2V  
    mA  
    mA  
    mA  
    V
    —
    2.0  
    ICBO  
    Collector cutoff current  
    VCB=1200V, Emitter open  
    VEB=7V  
    —
    400  
    3.0  
    IEBO  
    Emitter cutoff current  
    —
    VCE (sat)  
    VBE (sat)  
    –VCEO  
    hFE  
    Collector-emitter saturation voltage  
    Base-emitter saturation voltage  
    Collector-emitter reverse voltage  
    DC current gain  
    IC=100A, IB=2A  
    —
    3.5  
    V
    —
    1.8  
    –IC=100A (diode forward voltage)  
    IC=100A, VCE=5V  
    V
    —
    —
    —
    —
    3.0  
    ton  
    µs  
    —
    15  
    ts  
    Switching time  
    VCC=600V, IC=100A, IB1=–IB2=2A  
    µs  
    —
    3.0  
    tf  
    µs  
    —
    0.155  
    0.65  
    Rth (j-c) Q  
    Rth (j-c) R  
    Transistor part (per 1/2 module)  
    Diode part (per 1/2 module)  
    °C/W  
    °C/W  
    Thermal resistance  
    (junction to case)  
    —
    Contact thermal resistance  
    (case to fin)  
    —
    —
    0.075  
    Rth (c-f)  
    Conductive grease applied (per 1/2 module)  
    °C/W  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM100DY-24K  
    HIGH POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    PERFORMANCE CURVES  
    COMMON EMITTER OUTPUT  
    CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
    DC CURRENT GAIN VS.  
    COLLECTOR CURRENT (TYPICAL)  
    104  
    7
    200  
    160  
    120  
    80  
    5
    3
    2
    VCE=5.0V  
    103  
    IB=2A  
    7
    VCE=2.8V  
    5
    I
    B
    =1A  
    =0.5A  
    3
    2
    102  
    7
    5
    I
    B
    I
    B
    =0.1A  
    =0.2A  
    I
    B
    40  
    3
    T
    j
    j
    =25°C  
    =125°C  
    2
    Tj=25°C  
    T
    101  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    100  
    101  
    102  
    103  
    2 3 45 7  
    2 3 45 7  
    2 3 45 7  
    COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
    COLLECTOR CURRENT IC (A)  
    COMMON EMITTER INPUT  
    CHARACTERISTIC (TYPICAL)  
    SATURATION VOLTAGE  
    CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
    101  
    101  
    7
    7
    5
    V
    CE=2.8V  
    T
    j=25°C  
    5
    3
    2
    4
    VBE(sat)  
    3
    2
    100  
    7
    VCE(sat)  
    5
    100  
    7
    3
    2
    10 –1  
    5
    4
    7
    5
    3
    2
    IB=2A  
    3
    T
    j
    =25°C  
    2
    T
    j=125°C  
    10 –2  
    10–1  
    101  
    2
    3 4 5 7 102  
    2
    3 4 5 7 103  
    1.8  
    2.2  
    2.6  
    3.0  
    3.4  
    3.8  
    BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)  
    COLLECTOR CURRENT IC (A)  
    COLLECTOR-EMITTER SATURATION  
    VOLTAGE (TYPICAL)  
    SWITCHING TIME VS. COLLECTOR  
    CURRENT (TYPICAL)  
    102  
    7
    5
    4
    3
    2
    I
    C
    =100A  
    IC=50A  
    5
    3
    2
    IC=70A  
    t
    s
    101  
    7
    tf  
    5
    3
    2
    100  
    7
    5
    ton  
    1
    0
    3
    T
    T
    j
    j
    =25°C  
    =125°C  
    V
    CC=600V  
    T
    j
    =25°C  
    2
    I
    B1=–IB2=2A  
    Tj=125°C  
    10 –1  
    10 –2 2 3 45 710 –1 2 3 45 7100 2 3 45 7 101  
    100 2 3 45 7101 2 3 45 7 102 2 3 45 7 103  
    BASE CURRENT IB (A)  
    COLLECTOR CURRENT IC (A)  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM100DY-24K  
    HIGH POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    SWITCHING TIME VS. BASE  
    CURRENT (TYPICAL)  
    REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA  
    102  
    7
    320  
    VCC=600V  
    IB1=2A  
    Tj=125°C  
    280  
    240  
    200  
    160  
    120  
    80  
    5
    IC=100A  
    4
    ts  
    3
    2
    101  
    7
    IB2=–2A  
    5
    tf  
    4
    3
    2
    40  
    Tj=25°C  
    Tj=125°C  
    2
    3 4 5 7 101  
    100  
    0
    10 –1  
    2
    3 4 5 7 100  
    0
    400  
    800  
    1200  
    1600  
    BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)  
    COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
    FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA  
    DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.  
    103  
    100  
    SECOND  
    BREAKDOWN  
    AREA  
    7
    5
    50µs  
    100µs  
    90  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    3
    2
    102  
    7
    5
    COLLECTOR  
    DISSIPATION  
    3
    2
    101  
    7
    5
    3
    TC=25°C  
    NON–REPETITIVE  
    2
    100  
    100  
    101  
    102  
    103  
    0
    20 40 60 80 100 120 140 160  
    2 345 7  
    2 345 7  
    2 345 7  
    COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
    CASE TEMPERATURE TC (°C)  
    REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.  
    COLLECTOR-EMITTER REVERSE  
    VOLTAGE (DIODE FORWARD  
    TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE  
    CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)  
    100  
    101  
    2 3 45 7  
    2 3 457  
    CHARACTERISTICS) (TYPICAL)  
    103  
    7
    0.25  
    5
    3
    2
    0.20  
    0.15  
    0.10  
    102  
    7
    5
    3
    2
    101  
    7
    5
    0.05  
    0
    3
    Tj=25°C  
    Tj=125°C  
    2
    100  
    10 –3  
    10 –2  
    10  
    100  
    2 3 45 7 –12 3 45 7  
    2 3 45 7  
    0
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2.0  
    TIME (s)  
    COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE  
    –VCEO (V)  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM100DY-24K  
    HIGH POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    RATED SURGE COLLECTOR REVERSE CURRENT  
    (DIODE FORWARD SURGE CURRENT)  
    REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS  
    OF FREE-WHEEL DIODE (TYPICAL)  
    103  
    102  
    1000  
    800  
    600  
    400  
    200  
    0
    VCC=600V  
    IB1=–IB2=2A  
    Tj=25°C  
    7
    5
    3
    2
    Tj=125°C  
    102  
    101  
    Irr  
    7
    5
    Qrr  
    3
    2
    101  
    7
    5
    100  
    trr  
    3
    2
    100  
    10 –1  
    100  
    100  
    101  
    102  
    103  
    2 3 45 7  
    2
    3 4 5 7 101  
    2
    3 4 5 7 102  
    2 3 45 7  
    2 3 45 7  
    CONDUCTION TIME (CYCLES AT 60Hz)  
    FORWARD CURRENT IF (A)  
    TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE  
    CHARACTERISTIC (DIODE )  
    100 2 3 45 7101 2 3 457  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    10 –3  
    10 –2  
    10 –1  
    100  
    2 3 45 7  
    2 3 45 7  
    2 3 45 7  
    TIME (s)  
    Feb.1999  
    配单直通车
    QM100DY-24BK产品参数
    型号:QM100DY-24BK
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X15
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.82
    Is Samacsys：N
    最大集电极电流 (IC)：100 A
    配置：COMPLEX
    最小直流电流增益 (hFE)：750
    最大降落时间（tf）：3000 ns
    JESD-30 代码：R-PUFM-X15
    元件数量：2
    端子数量：15
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：800 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：BIP General Purpose Power
    表面贴装：NO
    端子形式：UNSPECIFIED
    端子位置：UPPER
    晶体管元件材料：SILICON
    VCEsat-Max：4 V
    Base Number Matches：1
    •  
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